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ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列非常适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测zui短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有极宽的光谱范围和高的响应速度。
完美的阻抗匹配和极先进的微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供很大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个急好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。
■ 超高速运行
■ 上升时间:15 ps - 500ps
■ 带宽:zui高达25 GHz
■ 光谱范围:170 - 2600纳米
■ 紧凑封装
■ 电池或外部电源
■ 自由空间光入射或FC/PC型
■ 接头或光纤尾纤。
■ UPD-15-IR2-FC:超快InGaAs PIN光电探测器,上升时间<15 ps,带宽> 25 GHz,光谱范围800 - 1700 nm,光纤耦合输入与FC / APC连接器
■ UPD-35-IR2-P,UPD-35-IR2-D:超快InGaAs PIN光电探测器,上升时间<35 ps,带宽> 10 GHz,光谱范围800 - 1700 nm,与抛光或漫射窗口
■ UPD-35-UVIR-P,UPD-35-UVIR-D:超高速InGaAs PIN光电探测器,上升时间<35 ps,带宽> 10 GHz,光谱范围350 - 1700 nm,与抛光或漫射窗口
■ UPD-50-SP,UPD-50-SD,UPD-50-UD,UPD-50-UP:超快Si PIN光电探测器,上升时间50 ps,下降时间50 ps,带宽> 7 GHz,光谱范围170 - 1100 nm或320 - 1100 nm,具有抛光或扩散窗口
■ UPD-100-IR1-P:超快光电探测器,上升时间<100 ps,脉冲宽度(FWHM)300 ps,光谱范围400 - 2000 nm
■ UPD-3N-IR2-P:快速InGaAs光电探测器,扩展红外范围高达2.1μm,上升时间150 ps
■ UPD-5N-IR2-P:快速InGaAs光电探测器,扩展红外范围高达2.6μm,上升时间为200 ps
■ 脉冲形式测量
■ 脉冲宽度测量
■ 精确的同步
■ 模式变化监控
■ 外差测量
名称 |
响应波长 |
光敏面积(Dia. um / mm^2) |
暗电流(nA) |
上升时间(ps) |
材料 |
pdf |
UPD-2M-IR2-P-1TEC |
900-1700nm |
2000 / 3.14 |
0.3 |
< 75000 |
InGaAs |
|
UPD-2M-IR2-P |
900-1700nm |
2000 / 3.14 |
5 |
< 75000 |
InGaAs |
|
UPD-5N-IR2-P |
800-2600nm |
300 / 0.07 |
2000 |
< 200 |
InGaAs |
|
UPD-3N-IR2-P |
800 - 2100nm |
300 / 0.07 |
90 |
< 150 |
InGaAs |
|
UPD-500-UD |
170 - 1100nm |
800 / 0.5 |
0.01 |
< 500 |
Si |
|
UPD-500-UP |
170 - 1100nm |
800 / 0.5 |
0.01 |
< 500 |
Si |
|
UPD-500-SD |
320-1100nm |
800 / 0.5 |
0.01 |
< 500 |
Si |
|
UPD-500-SP |
320-1100nm |
800 / 0.5 |
0.01 |
< 500 |
Si |
|
UPD-300-UD |
170 - 1100nm |
600 / 0.283 |
0.01 |
< 300 |
Si |
|
UPD-300-UP |
170 - 1100nm |
600 / 0.283 |
0.01 |
< 300 |
Si |
|
UPD-300-SD |
320-1100nm |
600 / 0.283 |
0.01 |
< 300 |
Si |
|
UPD-300-SP |
320-1100nm |
600 / 0.283 |
0.01 |
< 300 |
Si |
|
UPD-200-UD |
170 - 1100nm |
400 / 0.126 |
0.001 |
< 175 |
Si |
|
UPD-200-UP |
170 - 1100nm |
400 / 0.126 |
0.001 |
< 175 |
Si |
下载PDF |
UPD-200-SD |
320-1100nm |
400 / 0.126 |
0.001 |
< 175 |
Si |
|
UPD-200-SP |
320-1100nm |
400 / 0.126 |
0.001 |
< 175 |
Si |
|
UPD-100-IR1-P |
400 - 2000nm |
80 / 0.005 |
700 |
< 100 |
Ge |
|
UPD-70-UVIR-D |
350-1700nm |
80 / 0.005 |
0.8 |
< 70 |
InGaAs |
|
UPD-70-UVIR-P |
350-1700nm |
80 / 0.005 |
0.8 |
< 70 |
InGaAs |
|
UPD-70-IR2-FC |
800 - 1700nm |
Fiber, 9 um |
0.8 |
< 70 |
InGaAs |
|
UPD-70-IR2-FR |
800 - 1700nm |
80 / 0.005 |
0.8 |
< 70 |
InGaAs |
|
UPD-70-IR2-D |
800 - 1700nm |
80 / 0.005 |
0.8 |
< 70 |
InGaAs |
|
UPD-70-IR2-P |
800 - 1700nm |
80 / 0.005 |
0.8 |
< 70 |
InGaAs |
|
UPD-50-UD |
170 - 1100nm |
100 / 0.0079 |
0.001 |
< 50 |
Si |
|
UPD-50-UP |
170 - 1100nm |
100 / 0.0079 |
0.001 |
< 50 |
Si |
|
UPD-50-SD |
320-1100nm |
100 / 0.0079 |
0.001 |
< 50 |
Si |
|
UPD-50-SP |
320-1100nm |
100 / 0.0079 |
0.001 |
< 50 |
Si |
|
UPD-40-UVIR-D |
350-1700nm |
60 / 0.0028 |
0.5 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-40-UVIR-P |
350-1700nm |
60 / 0.0028 |
0.5 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-40-IR2-FC |
800 - 1700nm |
Fiber, 9 um |
0.5 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-40-IR2-FR |
800 - 1700nm |
60 / 0.0028 |
0.5 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-40-IR2-D |
800 - 1700nm |
60 / 0.0028 |
0.5 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-40-IR2-P |
800 - 1700nm |
60 / 0.0028 |
0.5 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-40-VSI-P |
500 - 1690nm |
200×200 / 0.04 |
5000 |
< 40 |
InGaAs |
|
UPD-35-UVIR-D |
350-1700nm |
55 / 0.0024 |
0.3 |
< 35 |
InGaAs |
|
UPD-35-UVIR-P |
350-1700nm |
55 / 0.0024 |
0.3 |
< 35 |
InGaAs |
|
UPD-35-IR2-FC |
800-1700nm |
Fiber, 9 um |
0.3 |
< 35 |
InGaAs |
|
UPD-35-IR2-FR |
800-1700nm |
55 / 0.0024 |
0.3 |
< 35 |
InGaAs |
|
UPD-35-IR2-D |
800-1700nm |
55 / 0.0024 |
0.3 |
< 35 |
InGaAs |
|
UPD-35-IR2-P |
800-1700nm |
55 / 0.0024 |
0.3 |
< 35 |
InGaAs |
|
UPD-30-VSG-P |
320-900nm |
200×200 / 0.04 |
0.1 |
< 30 |
GaAs |
|
UPD-15-IR2-FC |
800-1700nm |
Fiber, 9 um |
0.1 |
< 15 |
InGaAs |