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产品详情
Si 二维位敏探测器 MPGD3284Y
产品特点：

■ 大光敏面、无盲区
■ 低暗电流、高响应度
■ 输出线性好、高均匀性
■ X、Y方向信号互不影响
■ 位置连续变化的、可测精度小于5mm


详细参数：
技术指标(Ta=23℃)

参数

符号

测试条件

  典型值

单位

光敏面直径

Φ

 

10'10

μm

光参数

光谱响应范围

λ

 

  400～1100

nm

响应度

Re

VR=5V,λ=900nm

0.5

A/W

响应时间

tr

VR=5V

500

nS

电参数

暗电流

ID

VR=5V

300

nA

极间阻抗R12

 

 

30

KW

位置分辨率PR

 

 

5

mm

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

30

V

电容

Cj

f=1MHz,VR=40V

150

pF

工作电压

VR

 

5

V

管座型号

 

T0-18

外型图及使用简图
特性曲线
使用简图
注意事项：

◆ 器件在反向偏置条件下工作。.
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击，以免光窗损坏。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施，以免器件失效。

产品原理：

器件是利用半导体的“横向效应”原理制作而成的，它的四个输出电极X1、X2、Y1、Y2相当于直角坐标系的XY轴。当器件接收的目标信号光斑位置变化时，器件的输出光电流也随着位置变化而线性地变化，为此准确地测出目标的位置。

产品应用：


■ 位置角度测定
■ 跟踪制导、定位、对准
■ 位置偏转、振动、三维空间目标运动轨迹的测定
■ 自动聚焦、机器人视觉

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