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产品详情
EOT高速光电探测器

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品，EOT公司专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器，隔离器以及高速光电探头，为知名的光纤激光器厂商批量提供产品，并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。法拉第光旋转器／光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中，如多级激光放大器，光参量振荡器，环形激光器，掺饵光纤放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈)，种子注入型激光器，非线性光学，光传输系统等。 产品包括：法拉第旋转器和隔离器，高速光电探测器。


  图形名称型号描述带宽(Hz)
美国EOT ET-3010 - InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz
[查看参数表]		ET-3010材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；
响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC		>2 GHz
美国EOT ET-3000 - InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz
[查看参数表]		ET-3000材料：铟镓砷 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；
响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC		>2 GHz
美国EOT ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz
[查看参数表]		ET-2070材料：Silicon 上升／下降时间：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ；
响应度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１１８ＭＨｚ； 有效面积直径：２．５５ｍｍ； 输出连接：BNC		118 MHz
美国EOT ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz
[查看参数表]		ET-2060材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ；
响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１．１ＧＨｚ； 有效面积直径：０．４ｍｍ； 输出连接：BNC		>1.1 GHz
美国EOT ET-2040 - 硅光电探测器 ＞25MＨz
[查看参数表]		ET-2040材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ；
响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞２５ＭＨｚ； 有效面积直径：４.５７ｍｍ； 输出连接：BNC		>25 MHz
美国EOT ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ
[查看参数表]		ET-2030材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ；
响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１.２ＧＨｚ； 有效面积直径：０.４ｍｍ； 输出连接：BNC		>1.2 GHz


  图形名称型号描述带宽(Hz)
美国EOT InGaAs 铟镓砷 带放大光电探测器 ET-3500AF
[查看参数表]		ET-3500AF材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：1620 V/W ＠1310 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美国EOT GaAs 砷化镓 带放大光电探测器 ET-4000AF
[查看参数表]		ET-4000AF材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 带放大光电探测器 ET-5000AF
[查看参数表]		ET-5000AF材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美国EOT GaAs 砷化镓 带放大光电探测器 ET-4000A
[查看参数表]		ET-4000A材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz
[查看参数表]		ET-5000A材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：3250 V/W ＠2000 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 带放大光电探测器 ET-3500A
[查看参数表]		ET-3500A材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ		＞15 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 放大光电探测器 ET-3000A
[查看参数表]		ET-3000A材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ；
转换增益：900 V/W ＠1300 nm
带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ		30 kHz-１.５GHz
美国EOT 硅Silicon带放大高速光电探测器 ET-2030A
[查看参数表]		ET-2030A材料：Silicon硅 上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ；
转换增益：450 V/W ＠830 nm
带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ		30 kHz-１.2 GHz

  图形名称型号描述带宽(Hz)
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz
[查看参数表]		ET-5000F
材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；
响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ；
有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接,FC/UPC		＞10 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz
[查看参数表]		ET-5000
材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；
响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ；
有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接,不适用		＞10 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz
[查看参数表]		ET-4000F
材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；
响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ；
有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e		＞12.5 GHz
美国EOT GaAs 砷化镓 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz
[查看参数表]		ET-4000
材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；
响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ；
有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接c 不适用		＞12.5 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-3600F, >12.5 GHz
[查看参数表]		ET-3600F
材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ；
响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ；
有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e		>22 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-3600, >12.5 GHz
[查看参数表]		ET-3600
材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ；
响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ；
有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用		>22 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-3500F, >12.5 GHz
[查看参数表]		ET-3500F
材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；
响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ；
有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC,SMF28e		＞15 GHz
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 ET-3500, >12.5 GHz
[查看参数表]		ET-3500
材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；
响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ；
有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用		＞15 GHz