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美国 EOT 高速光电探测器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm  2021-09-07

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量<1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 

EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源 将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。

特征内置跨阻放大器,占地面积小,外墙插电电源,带宽高达 10 GHz

选项,探测器材质,活动区,提供光纤耦合或自由空间选项

应用,监测高重复率、外部调制的连续激光器,查看<1 mW 的激光功率


产品型号
纵向   横向
型号 货号 操作 名称
ET-3010 E80040601 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<175ps/<175ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>2GHz; 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC 8-10周
ET-3000 E80040602 铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:铟镓砷 上升/下降时间:<175ps/<175ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>2GHz; 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC 8-10周
ET-2070 E80040615 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降时间:<3ns/<3ns; 响应度:0.56A/W@830nm; 带宽:>118MHz; 有效面积直径:2.55mm; 输出连接:BNC 8-10周
ET-2060 E80040616 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降时间:<320ps/<320ps; 响应度:0.47A/W@830nm; 带宽:>1.1GHz; 有效面积直径:0.4mm; 输出连接:BNC 8-10周
ET-2040 E80040617 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降时间:<30ns/<30ns; 响应度:0.6A/W@830nm; 带宽:>25MHz; 有效面积直径:4.57mm; 输出连接:BNC 8-10周
ET-5000F E80040603 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接,FC/UPC 8-10周
ET-5000 E80040604 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:1.3A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接,不适用 8-10周
ET-4000F E80040605 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降时间:<30ps/<30ps; 响应度:0.38A/W@830nm; 带宽:>12.5GHz; 有效面积直径:60um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC、SMF28e 8-10周
ET-4000 E80040620 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降时间:<30ps/<30ps; 响应度:0.53A/W@830nm; 带宽:>12.5GHz; 有效面积直径:60um; 输出连接:SMA 光纤连接c 不适用 8-10周
ET-3600F E80040606 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7A/W@1300nm; 带宽:>22GHz; 有效面积直径:20um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC、SMF28e 8-10周
ET-3600 E80040607 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7A/W@1300nm; 带宽:>22GHz; 有效面积直径:20um; 输出连接:SMA 光纤连接 不适用 8-10周
ET-3500F E80040608 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.65A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC,SMF28e 8-10周
ET-3500AF E80040609 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<35ps/<35ps; 转换增益:1620 V/W @1310 nm 带宽:20 kHz to 10 GHz 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 8-10周
ET-4000AF E80040621 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降时间:<35ps/<35ps; 转换增益:970V/W @ 850 nm 带宽:20 kHz to 10 GHz 有效面积直径:60um; 输出连接:SMA 8-10周
ET-5000AF E80040610 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<35ps/<35ps; 转换增益:2350 V/W @2000 nm 带宽:20 kHz to 10 GHz 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 8-10周
ET-4000A E80040622 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降时间:<35ps/<35ps; 转换增益:1340 V/W @ 850 nm 带宽:20 kHz to 10 GHz 有效面积直径:60um; 输出连接:SMA 8-10周
ET-5000A E80040611 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<35ps/<35ps; 转换增益:3250 V/W @2000 nm 带宽:20 kHz to 10 GHz 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 8-10周
ET-3500A E80040612 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 8-10周
ET-3000A E80040613 铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<400ps/<400ps; 转换增益:900 V/W @1300 nm 带宽:30 kHz to 1.5GHz 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC 8-10周
ET-2030A E80040618 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT   [PDF] 材料:Silicon硅 上升/下降时间:<500ps/<500ps; 转换增益:450 V/W @830 nm 带宽:30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径:400um; 输出连接:BNC 8-10周
ET-3500 E80040614 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 光纤连接 不适用 8-10周
ET-2030 E80040619 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 >1.2GHz 美国EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降时间:<300ps/<300ps; 响应度:0.47A/W@830nm; 带宽:>1.2GHz; 有效面积直径:0.4mm; 输出连接:BNC 8-10周









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