铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-3010
E80040601
库存:6
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<175ps/<175ps;
响应度:0.9A/W@1300nm;
带宽:>2GHz;
有效面积直径:100um;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>2 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-3000
E80040602
库存:0
|
材料:铟镓砷
上升/下降时间:<175ps/<175ps;
响应度:0.9A/W@1300nm;
带宽:>2GHz;
有效面积直径:100um;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>2 GHz |
¥0
|
硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-2070
E80040615
库存:0
|
材料:Silicon
上升/下降时间:<3ns/<3ns;
响应度:0.56A/W@830nm;
带宽:>118MHz;
有效面积直径:2.55mm;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质: 硅 Silicon 带宽(Hz):
118 MHz |
¥0
|
硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-2060
E80040616
库存:0
|
材料:Silicon
上升/下降时间:<320ps/<320ps;
响应度:0.47A/W@830nm;
带宽:>1.1GHz;
有效面积直径:0.4mm;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质: 硅 Silicon 带宽(Hz):
>1.1 GHz |
¥0
|
硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-2040
E80040617
库存:0
|
材料:Silicon
上升/下降时间:<30ns/<30ns;
响应度:0.6A/W@830nm;
带宽:>25MHz;
有效面积直径:4.57mm;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质: 硅 Silicon 带宽(Hz):
>25 MHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-5000F
E80040603
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<28ps/<28ps;
响应度:0.9A/W@2000nm;
带宽:>10GHz;
有效面积直径:40um;
输出连接:SMA
光纤连接,FC/UPC
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>10 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT
[PDF]
|
ET-5000
E80040604
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<28ps/<28ps;
响应度:1.3A/W@2000nm;
带宽:>10GHz;
有效面积直径:40um;
输出连接:SMA
光纤连接,不适用
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>10 GHz |
¥0
|
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-4000F
E80040605
库存:0
|
材料:GaAs
上升/下降时间:<30ps/<30ps;
响应度:0.38A/W@830nm;
带宽:>12.5GHz;
有效面积直径:60um;
输出连接:SMA
光纤连接 FC/UPC、SMF28e ,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>12.5 GHz |
¥0
|
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-4000
E80040620
库存:0
|
材料:GaAs
上升/下降时间:<30ps/<30ps;
响应度:0.53A/W@830nm;
带宽:>12.5GHz;
有效面积直径:60um;
输出连接:SMA
光纤连接c 不适用 ,货期:8-10周
|
材质:
砷化镓 GaAs 带宽(Hz):
>12.5 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-3600F
E80040606
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<16ps/<16ps;
响应度:0.7A/W@1300nm;
带宽:>22GHz;
有效面积直径:20um;
输出连接:SMA
光纤连接 FC/UPC、SMF28e
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>22 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-3600
E80040607
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<16ps/<16ps;
响应度:0.7A/W@1300nm;
带宽:>22GHz;
有效面积直径:20um;
输出连接:SMA
光纤连接 不适用
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>22 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-3500F
E80040608
库存:2
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<25ps/<25ps;
响应度:0.65A/W@1300nm;
带宽:>15GHz;
有效面积直径:32um;
输出连接:SMA
光纤连接 FC/UPC,SMF28e ,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>15 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT
[PDF]
|
ET-3500AF
E80040609
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<35ps/<35ps;
转换增益:1620 V/W @1310 nm
带宽:20 kHz to 10 GHz
有效面积直径:32um;
输出连接:SMA
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
¥0
|
砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT
[PDF]
|
ET-4000AF
E80040621
库存:0
|
材料:GaAs
上升/下降时间:<35ps/<35ps;
转换增益:970V/W @ 850 nm
带宽:20 kHz to 10 GHz
有效面积直径:60um;
输出连接:SMA
,货期:8-10周
|
材质:
砷化镓 GaAs 带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓
[PDF]
|
ET-5000AF
E80040610
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<35ps/<35ps;
转换增益:2350 V/W @2000 nm
带宽:20 kHz to 10 GHz
有效面积直径:40um;
输出连接:SMA
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
¥0
|
砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT
[PDF]
|
ET-4000A
E80040622
库存:0
|
材料:GaAs
上升/下降时间:<35ps/<35ps;
转换增益:1340 V/W @ 850 nm
带宽:20 kHz to 10 GHz
有效面积直径:60um;
输出连接:SMA
,货期:8-10周
|
材质:
砷化镓 GaAs 带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-5000A
E80040611
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<35ps/<35ps;
转换增益:3250 V/W @2000 nm
带宽:20 kHz to 10 GHz
有效面积直径:40um;
输出连接:SMA
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT
[PDF]
|
ET-3500A
E80040612
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<25ps/<25ps;
响应度:0.9A/W@1300nm;
带宽:>15GHz;
有效面积直径:32um;
输出连接:SMA
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>15 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT
[PDF]
|
ET-3000A
E80040613
库存:0
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<400ps/<400ps;
转换增益:900 V/W @1300 nm
带宽:30 kHz to 1.5GHz
有效面积直径:100um;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
30 kHz-1.5GHz |
¥0
|
硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT
[PDF]
|
ET-2030A
E80040618
库存:2
|
材料:Silicon硅
上升/下降时间:<500ps/<500ps;
转换增益:450 V/W @830 nm
带宽:30 kHz to 1.2 GHz
有效面积直径:400um;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质: 硅 Silicon 带宽(Hz):
30 kHz-1.2 GHz |
¥0
|
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-3500
E80040614
库存:1
|
材料:InGaAs
上升/下降时间:<25ps/<25ps;
响应度:0.9A/W@1300nm;
带宽:>15GHz;
有效面积直径:32um;
输出连接:SMA
光纤连接 不适用 ,货期:8-10周
|
材质:
铟镓砷 InGaAs 带宽(Hz):
>15 GHz |
¥0
|
硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 >1.2GHz 美国EOT
[PDF]
|
ET-2030
E80040619
库存:0
|
材料:Silicon
上升/下降时间:<300ps/<300ps;
响应度:0.47A/W@830nm;
带宽:>1.2GHz;
有效面积直径:0.4mm;
输出连接:BNC
,货期:8-10周
|
材质: 硅 Silicon 带宽(Hz):
>1.2 GHz |
¥0
|