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1320nm高温高功率DFB激光芯片  

1320nm高温高功率DFB激光芯片
1320nm高温高功率DFB激光芯片适合在高温下工作,具有超低的RIN 噪声和高输出光功率等优点.输出功率高达250mW.可根据客户的需求提供波长定制服务
 西北华中华东华南 Lily
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 Lily@microphotons.com
 华北西南东北 Tina
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 tina@microphotons.com
产品型号 1
货号 操作 名称
I80010005  1320nm高温高功率DFB激光芯片 250mW   [PDF] 芯片类型:DFB;中心波长:1320nm;输出功率:250mW;边模抑制比:45dB;偏振消光比:20dB;芯片温度:85℃;CoC封装    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
总览

1320nm高温高功率DFB激光芯片适合在高温下工作,具有超低的RIN 噪声和高输出光功率等优点.输出功率高达250mW.可根据客户的需求提供波长定制服务

通用参数

产品特点:

高功率和高温的设计

在大的温度和电流范围内无跳模

低光束发射角

高边摸抑制比(SMSR)

低RIN

高反馈可持续性


产品应用:

光信号收发器

数据中心

 

技术参数:

推荐的操作条件

参数

最小值

典型值

最大值

单位

芯片温度

65

85

105

°C

正向电流


800

900

mA

输出功率

20


250

mW


基本参数





对每个样品进行测试@ CW, 85C, 800mA





参数

最小值

典型值

最大值

单位

输出功率@ 900mA

250



mW

正向电压


1.5

3

V

阈值电流


100

130

mA

功率转换效率


18


%

峰值波长*

1315

1320

1325

nm

波长温度调谐系数


90


pm/°C

波长电流调谐系数


2.9


pm/mA

边模抑制比 (SMSR)

40

45


dB

慢轴光束发散角 (FWHM)

7

8

9

deg

快轴光束发散角 (FWHM)

33

35

37

deg

偏振消光比 (PER)

15

20


dB

偏振


TE



*可根据要求提供范围1270-1330nm范围的其他波长

噪声特性





条件 @ CW, 85C, 800mA





参数

最小值

典型值

最大值

单位

线宽 (自外差法 @ 80MHz)


1

5

MHz

相对强度噪声 (RIN)*



-140

dB/Hz

反馈灵敏度 (optical)**



-30

dB

* 平均值,测量范围为DC-10GHz

** 单线光谱和RIN<-140dB/Hz

芯片参数

参数

最小值

典型值

最大值

单位

芯片长度


3


mm

前端面的背向反射


0.01

0.1

%

后端面的背向反射

90

99


%

 

光谱图




典型工作性能

@CW,推荐操作条件












绝对最大值参数

参数

Min

Max

Unit

正向电流


950

mA

反向电压


1

V

工作温度

5

125

°C

焊接温度 (5 sec max)


250

°C

存储温度 (采用原始密封包装)

-40

85

°C



尺寸












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