LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体
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LiGaS2
A80160204
库存:0
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透光率, 0.33 – 11.6µm,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min < 30
平行度, arc sec < 30
平面度 546 nm λ/4
表面质量, scratch/dig 30/20
,货期:8-10周
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￥0
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LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
[PDF]
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LiGaSe2
A80160203
库存:0
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透光率, 0.37 – 13.2µm,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min < 30
平行度, arc sec < 30
平面度 546 nm λ/4
表面质量, scratch/dig 30/20
,货期:8-10周
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￥0
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LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
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LiInS2
A80160202
库存:0
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透光率,0.35– 13.2 µm, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, Å a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min < 30
平行度, arc sec < 30
平面度 546 nm λ/6
表面质量, scratch/dig 30/20
,货期:8-10周
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￥0
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LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体
[PDF]
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LilnSe2
A80160201
库存:0
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透光率, 0.43– 13.2 µm,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, Å a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min < 30
平行度, arc sec < 30
546 nm λ/4
表面质量, scratch/dig 30/20
,货期:8-10周
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￥0
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AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体
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AgGaSe2
A80160206
库存:0
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透光率,0.76 – 18 µm,单轴负晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µm ,对称度 四方晶系, -42m point group ,货期:8-10周
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￥0
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GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体
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GaSe
G80010032
库存:0
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透光率0.62 – 20µm,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µm,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, Å a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µm ,货期:8-10周
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￥0
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AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2
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AgGaS2
A80160205
库存:0
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透光率: µm 0.47 – 13
非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm ,
对称度:四方晶系, -42m point group
晶胞参数:a=5.757, c=10.311, ,货期:
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￥0
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