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铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长  

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。


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产品型号
纵向   横向
型号 货号 操作 名称
IRD-IGS-10 E80042060 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管(900-1800nm,直径10mm)   [PDF] 光谱响应范围 900-1700nm;光敏面直径 10mm;响应度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin脚 价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
现货
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产品特点

● 10mm超大光敏面

● 900nm to 1700nm 光谱响应

● 高线性 > 10 dBm

● —正照平面型芯片结构 

● 光敏面积大、低暗电流


通用参数

技术参数

特性参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

光谱响应范围

λ

900~1700

nm

光敏面直径

φ

10

mm

响应度

 

Re

VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

0.85

A/W

VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

0.95

响应时间

tS

VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

8

20

μs

总电容

C

VR=5V,f=1KHz

3

10

nF

暗电流

ID

VR=5V,φe=0

25

100

nA

分流阻抗

Rsh

VR=10mV

10


光谱响应曲线

tu1.png

封装及尺寸

tu2.png

极限值

参数名称

符号

额定值

单位

工作温度

TC

-40~+85

贮存温度

TSTG

-55~+125

正向电流

IF

10

mA

反向电流

IR

5

mA

焊接温度(时间)

St

260℃(10s)

-


产品应用

● 激光功率计

● LED/LD老化诊断

● 光谱学

● LED/LD特性

● 眼睛安全激光检测传感器










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