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锗Ge大光敏面锗光电二极管/InGaAs铟镓砷PIN结二极管(PD)/近红外波长
  2019-01-06

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

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超大光敏面 铟镓砷 InGaAs光电二极管( PIN结二极管PD10mm 近红外波长)
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IRD-IGS-10
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¥26000.00
PIN结二极管(PD)超大光敏面 (Ge)锗 光电二极管 近红外波长
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IRD-GE-10
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¥3950.00
Ge大光敏面锗光电二极管 800-1800nm 直径 5mm
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IRD-GE-05
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