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首页 / 激光测试 / 激光探测器 / Ge大光敏面锗光电二极管－近红外波长

Ge大光敏面锗光电二极管－近红外波长
  2019-01-06

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

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Ge大光敏面锗光电二极管 下载PDF ￥1950.00
产品特点

● 小光敏面大光敏面可选 (100µm to 25mm)

● 800nm to 1800nm 光谱响应

● 高线性 > 10 dBm

● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)

技术参数

参数规格

探测材料

Ge

响应波长

800 - 1800 nm

峰值波长

1550 nm   (Typ.)

响应度

0.85 A/W   (Typ.)

光敏面直径

19.6 mm2 (Ø5 mm)

上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)

220 ns / 220 ns (Typ.)

NEP, Typical (1550 nm)

4.0 x   10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

暗电流 (5 V)

60 µA (Max.)

电容(10 V)
  电容(0 V)

1800 pF (Max.)
  16000 pF (Max.)

分流电阻

4000 Ohm   (Typ.)

封装形式

TO-8

最大击穿打压

10 V

操作温度

-55 to 60 °C

存储温度

-55 to 60 °C

备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明

           2、NEP指定在光伏模式下


光谱响应曲线

ge1.png

ge2.jpg


引脚定义

推荐电路

ge9.png

产品应用

● 激光功率计

● LED/LD老化诊断

● 光谱学

● LED/LD特性

● 眼睛安全激光检测传感器

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