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硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm  

器件是N型硅象限探测器,当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。

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产品型号
纵向   横向
型号 货号 操作 名称
SIQ1600 E80040004 1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限探测器 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W)   [PDF] 光敏面直径 16mm;直流响应度 0.3A/W; 光敏材料 Si; 击穿电压 200V 价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
4-6 周
SIQ1000 E80040002 1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限探测器 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W)   [PDF] 光敏面直径 10mm;直流响应度 0.3A/W; 光敏材料 Si; 击穿电压 200V 价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
4-6 周
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产品特点

● 标低暗电流

● 高均匀性、高对称性    

● 高可靠性  

● 盲区小

技术参数

特性参数

符号

测试条件

(除另有规定外,TA=22℃±3℃)

参数值

最小值

最大值

响应度(交流)(象限)

Spi

λ=1.064μm

VR=135 V

脉宽20 ns、Pin=2 mW

0.25

A/W

响应度(直流)(象限)

Rei

直流、Pin=1μw

0.30

响应度变化量(直流) (象限)a

响应度变化量(交流) (象限)a

ΔRei

TA=-45 ℃±2 ℃

50

%

暗电流(象限)

IDi

VR=135V

Pin=0μw

TA=22℃±3℃

1

μA

TA=70℃±3℃

10

暗电流(环)

ID

TA=22℃±3℃

10

TA=70℃±3℃

100

结电容(象限)

Cji

VR=135V,f=1MHz

15

pF

光敏面直径

φ


10

16

mm

等效噪声功率

NEPi

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脉宽20 ns

5×10-12

W/HZ1/2

击穿电压(象限、环)

VBR

IR=10μA

200

V

象元间灵敏度非均匀性

Rf

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脉宽20 ns;Pin=2mW

5

%

象元内灵敏度非均匀性

Rfn

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脉宽20 ns;Pin=2mW

5

%

象元间窜扰因子

SLi

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脉宽20 ns;Pin=2mW

5

%

通用参数

外形结构

TO型气密性封装。外形结构见图1,外形尺寸见表1。

2345截图20191014101445.png

2345截图20191014101905.png

表1、外形尺寸(单位为毫米)

尺寸符号

φD1

ΦD2

ΦD3

ΦD4

ΦD5

Φd

A

L1

L2

L3

e

最小值

30.55

27.80

3.00

27.915

22.60

0.98

7.03

3.02

1.85

2.70

18.00

最大值

30.65

28.00

3.06

27.94

23.40

1.02

7.20

3.10

1.95

3.00

18.05


引出端排列

器件的引出端排列见图2,引出端功能应符合表2的规定。

2345截图20191014103311.png

表2、引出端功能表

管脚

功能

电压极性

1

象限1

2

公共P极

3

象限4

4

环极

5

象限3

6

壳体

7

象限2

产品应用

● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置

● 激光微定位、位移监控等精密测量系统










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