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铟镓砷 InGaAs 高速放大型光电探测器 800-1700nm (DC - 5MHz)  

PDAM20A6B4G-InGaAS光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。



产品型号
纵向   横向
型号 货号 操作 名称
PDA10A7B4G-NIR  E80040183    铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (12MHz)   [PDF] 感光面直径@1mm 波长800-1700nm 带宽 DC -12MHz 上升时间:29 nS, RMS噪声:800µV .typ, 电源:包含(±9V)     价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
现货 
PDA05A7B4G-NIR  E80040184    铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (25MHz)   [PDF] 感光面直径@0.5mm 波长800-1700nm 带宽 DC •-25MHz 上升时间:14 nS, RMS噪声:1mV .typ, 电源:包含(±9V)     价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
8-10周 
PDA10A8B4G-NIR  E80040185    铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (140MHz)   [PDF] 感光面直径@1mm 波长800-1700nm 带宽 DC •-140MHz 上升时间:2.5 nS, RMS噪声:760µV .typ, 电源:包含(±9V)     价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
8-10周 
PDA30A6B4G-NIR  E80040186    铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (2MHz)   [PDF] 感光面直径@3mm 波长800-1700nm 带宽 DC •-2MHz 上升时间:175 nS, RMS噪声:800µV .typ, 电源:包含(±9V)   8-10周 
PDAM20A6B4G-InGaAS  E80040117    铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (5MHz)   [PDF] 输入电压±9VDC, 100mA 感光面直径@2mm 波长800-1700nm (可扩展到2600nm,5MHz) 峰值响应0.9 A/W@1550nm ,9mV/uW@1550nm 饱和光功率660 uW@1550nm (Hi-Z) 带宽 DC •-5MHz     价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
8-10周 
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通用参数

搜狗截图20220217135438.png


产品特点:

低噪声,小于±lmV

过冲小,过冲电压小于2.5%

增益稳定:增益误差小于1%

暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)


应用领域:

•显示面板检测

•LED照明频闪分析

•玩具灯闪烁频率及功率测量

•气体分析


参数

PN#

PDA  M  005B-  Si

PDA  M  36A5B6G-  SI

PDA  M  20A6B4G-  InGaAs

电器特性




输入电压

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探头

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波长

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm(Optional   Extended(可选扩展)   2600nm)

峰值响应

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm


43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

饱和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

芾宽

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

输出噪声(RMS)

700 uV

1 mV ・typ

1.3 mV .typ

暗电流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

输出电压




Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍数




Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

50Q

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他参数





拨动开关

拨动开关

拨动开关

输出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作温度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存储温度

・25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 


铟镓砷光电探测器,带放大,固定增益型号参考


型号波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面工作温度电源
Hi-Z 负载50Ω 负载
PDA10A8B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 140MHz2.5 nS1*10V/A5*103 V/A760µV .typ4.8*10-12 W/√HZф1 mm10-50℃包含(±9V)
PDA05A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 25MHz14 nS1.2*10V/A6*103 V/A1mV .typ1.9*10-11 W/√HZф0.5 mm10-50℃包含(±9V)
PDA10A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 12MHz29 nS1*10V/A5*103 V/A800µV .typ2.6*10-11 W/√HZф1 mm10-50℃包含(±9V)
PDA20A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 5MHz70 nS1*10V/A5*103 V/A1.3mV .typ6.5*10-11 W/√HZф2 mm10-50℃包含(±9V)
PDA30A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 2MHz175 nS1*10V/A5*103 V/A800µV .typ6.3*10-11 W/√HZф3 mm10-50℃包含(±9V)








外观及安装使用




测试案列:

测试光源:

PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

测试条件:25℃、激光器电流扫描15-23mA,探测器输出如下图。



此款探测器在972nm时,探测精度高,微弱光(几十微瓦)也可以探测到。



尺寸图

















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