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  • 2021-01-13   型号:VCSEL-20-M   货号:A80170003   价格:9500.00

    激光驱动电流 20mA;激光管驱动电压最大值 4V;台式;DB9输出接口
    筱晓光子的VCSEL 激光驱动器,采用全铝制外壳,具有优异的散热性能和外壳强度,以保证长期地稳定可靠运行。2.4 寸 OLED 显示屏,字体大而清晰。内置低噪声可调恒流驱动和TEC控制。我们自己研发设计的VCSEL驱动底座,可以使激光器的引脚方便的插入,便于测试。软件控制操作,也可以外加调制信号。我们也可以根据激光器引脚定义进行定制。
  • 2021-09-16   型号:VCSEL-795-0.13

    正向电流 VF 典型值 1.8 V 输出功率 Φ 典型值 0.13 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
    垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20
  • 2021-09-16   型号:VCSEL-894.6-0.3

    正向电流 VF 典型值 1.78 V 输出功率 Φ 典型值 0.3 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm
    垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。
  • 2019-10-11   型号:PL-VCSEL-0850-1-1-SA-14BF   货号:A80040014   价格:8500.00

    中心波长 850nm;波长偏差 ±10nm; 输出功率 >0.1mw;14pin蝶形封装;保偏输出
    LD-PD INC借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。
  • 2020-10-24   型号:PL-VCSEL-1567-1-A81   货号:A80040026   价格:4020.00

    中心波长 1567nm;光输出功率 1.0mW;阈值电流 8mA;侧模抑制比 40dB
    垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。它具有较小的远场发散角,发散角光束窄且圆;并且阈值电流低,调制频率高,能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装,它专为高速光纤通信而设计。
  • 2021-03-11   型号:PL-VCSEL-1654nm-3-SA   货号:A80040024   价格:8500.00

    中心波长 1654nm;输出功率 2mW;光纤类型 SMF-28e;接头 FC/APC
    筱晓光子的新款1654nm VCSEL激光器中应用了最新发明的高对比度光栅层(HCG),HCG比传统的分布布拉格反射镜(DBR)薄约50倍,但具有更高的反射率和更宽的光谱宽度。我们的这款激光器具有高达8nm的调谐范围,调谐频率可达100kHz,是测试CH4气体的理想选择。
  • 2019-02-14   型号:MP794-01-TN-S46FTT   货号:A80040008   价格:23000.00

    中心波长 795nm;输出功率 1mw;TO46封装;自由空间输出;带TEC
    Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。
  • 2019-02-14   型号:ULM852-01-TN-S46FTT   货号:A80040022   价格:7800.00

    中心波长 852nm;波长偏差 ±1nm;输出功率 1mw;TO46封装;自由空间输出;带TEC
    Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

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  • 筱晓光子的VCSEL 激光驱动器,采用全铝制外壳,具有优异的散热性能和外壳强度,以保证长期地稳定可靠运行。2.4 寸 OLED 显示屏,字体大而清晰。内置低噪声可调恒流驱动和TEC控制。我们自己研发设计的VCSEL驱动底座,可以使激光器的引脚方便的插入,便于测试。软件控制操作,也可以外加调制信号。我们也可以根据激光器引脚定义进行定制。

  • Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

  • 凭借经过优化的光学特性,760nm-2004nm 单模DFB成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存760nm DFB用于TDLAS氧气检测,1512nm DFB用于TDLAS氨气检测,795nm VCSEL用于Rb原子钟实验,852nm VCSEL用于CS原子冷却,2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳气体检测。

  • Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

  • Philips借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。

  • LD-PD INC借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。

  • Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

  • 垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。它具有较小的远场发散角,发散角光束窄且圆;并且阈值电流低,调制频率高,能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装,它专为高速光纤通信而设计。

  • 筱晓光子的新款1654nm VCSEL激光器中应用了新发明的高对比度光栅层(HCG),HCG比传统的分布布拉格反射镜(DBR)薄约50倍,但具有更高的反射率和更宽的光谱宽度。我们的这款激光器具有高达8nm的调谐范围,调谐频率可达100kHz,是测试CH4气体的理想选择。

  • 半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面得到了广泛的应用。我们有如下类型的半导体激光器FP激光器  VCSEL激光器  QCL激光器  DFB激光器  ICL激光器  DBR激光器 

  • 垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。

  • 760nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护.

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