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  • 2021-01-13   型号:VCSEL-20-M   货号:A80170003

    激光驱动电流 20mA;激光管驱动电压最大值 4V;台式;DB9输出接口
    筱晓光子的VCSEL 激光驱动器,采用全铝制外壳,具有优异的散热性能和外壳强度,以保证长期地稳定可靠运行。2.4 寸 OLED 显示屏,字体大而清晰。内置低噪声可调恒流驱动和TEC控制。我们自己研发设计的VCSEL驱动底座,可以使激光器的引脚方便的插入,便于测试。软件控制操作,也可以外加调制信号。我们也可以根据激光器引脚定义进行定制。 技术指标参数工作电压220VAC电源频率50Hz功率(Max)6W激光管驱动电压最大值4V最高激光器控制温度50.0℃最低激光器控制温度5.0℃TEC 驱动电流(低)0.13ATEC 驱动电流(高)0.3A激光驱动电流0-20mA调制电压0-15V调制频率300k备注: 输出接口DB9软件界面1550nm VCSEL
  • 2021-09-16   型号:VCSEL-894.6-0.3   货号:A80040028

    正向电流 VF 典型值 1.78 V 输出功率 Φ 典型值 0.3 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm
    垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。 应用原子钟磁力计特点:包装: 裸片芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 894.6 nm辐射剖面: 单模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大额定值Ta = 80°C 参数符号值操作/焊接温度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C储存温度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向电流(...
  • 2021-09-16   型号:VCSEL-795-0.13   货号:A80040029

    正向电流 VF 典型值 1.8 V 输出功率 Φ 典型值 0.13 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
    垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20 应用原子钟磁力计特点:包装: 裸片芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 795 nm辐射剖面: 单模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大额定值Ta = 80°C 参数符号值操作/焊接温度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C储存温度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向电流(保...
  • 2019-10-11   型号:PL-VCSEL-0850-1-1-PA-14BF   货号:A80040014

    中心波长 850nm;波长偏差 ±10nm; 输出功率 >0.1mw;14pin蝶形封装;保偏输出
    LD-PD INC借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。 电学参数参数符号l测试条件最小典型最大单位光功率PowerPP—0.1——mW阈值电流ITHCW,TL =25℃135mA驱动电流IOpPO =0.1mW—58mA激光器正向电压VLFPO =0.1mW——2.3V光电效率ηCW,TL =25℃0.20.40.65mW/mA激光器TEC控制温度(环境温度25℃)TLD—15—35℃热敏电阻电流ITC—10—100µA热敏电阻阻抗RTHTL =25...
  • 2021-03-11   型号:PL-VCSEL-1654nm-3-SA   货号:A80040024

    中心波长 1654nm;输出功率 2mW;光纤类型 SMF-28e;接头 FC/APC
    筱晓光子的新款1654nm VCSEL激光器中应用了最新发明的高对比度光栅层(HCG),HCG比传统的分布布拉格反射镜(DBR)薄约50倍,但具有更高的反射率和更宽的光谱宽度。我们的这款激光器具有高达8nm的调谐范围,调谐频率可达100kHz,是测试CH4气体的理想选择。 参数符号数值单位最小典型最大光输出峰值功率@25ºP-63dBm操作电流Iop01825mA操作TEC温度范围Top52035℃阈值电流Ith1416mA激光器驱动器的电压Vcc01.52.5V电阻Rs20Ω中心波长λ1654nm调谐范围Δλ48nm保证开始波长at 25°C,Iop   and Vtune=0V1654nm保证终止波长at 25°C,Iop and Vtune=max1653nm最大...

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  • 筱晓光子的VCSEL 激光驱动器,采用全铝制外壳,具有优异的散热性能和外壳强度,以保证长期地稳定可靠运行。2.4 寸 OLED 显示屏,字体大而清晰。内置低噪声可调恒流驱动和TEC控制。我们自己研发设计的VCSEL驱动底座,可以使激光器的引脚方便的插入,便于测试。软件控制操作,也可以外加调制信号。我们也可以根据激光器引脚定义进行定制。

  • Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

  • 凭借经过优化的光学特性,760nm-2004nm 单模DFB成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存760nm DFB用于TDLAS氧气检测,1512nm DFB用于TDLAS氨气检测,795nm VCSEL用于Rb原子钟实验,852nm VCSEL用于CS原子冷却,2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳气体检测。

  • Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

  • Philips借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。

  • LD-PD INC借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。

  • Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

  • 垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。它具有较小的远场发散角,发散角光束窄且圆;并且阈值电流低,调制频率高,能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装,它专为高速光纤通信而设计。

  • 筱晓光子的新款1654nm VCSEL激光器中应用了新发明的高对比度光栅层(HCG),HCG比传统的分布布拉格反射镜(DBR)薄约50倍,但具有更高的反射率和更宽的光谱宽度。我们的这款激光器具有高达8nm的调谐范围,调谐频率可达100kHz,是测试CH4气体的理想选择。

  • 半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面得到了广泛的应用。我们有如下类型的半导体激光器FP激光器  VCSEL激光器  QCL激光器  DFB激光器  ICL激光器  DBR激光器 

  • 圆锥形透镜光纤,因为扩大了数值孔径,增加了收集光的能力,所以十分适用于与输出光束截面为圆形或者近似圆形的LD,DFB,SLD激光器或者VCSEL等的耦合。

  • 850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。

  • VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。

  • 我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射,具有对称的高斯光束轮廓,输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

  • PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。我们的1550 nm单模VCSEL设计用于高速、高性能通信应用。

  • 1310 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在带有单模光纤尾纤的紧凑同轴外壳中。VCSEL-1310-SM设计用于光纤传感、激光发射器和光通信应用。它需要非常低的驱动电流,并且可以通过内置TEC实现温度稳定。

  •  1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。

  • PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。

  • 用于激光束轮廓分析的新型创新计量 1 英寸大探测器,20 MP,2.4 x 2.4 微米像素大小 激光束和 VCSEL 阵列的平行测量 从深紫外到 1350 nm 的大光谱范围创新的 20 MP 大孔径光束分析仪, 在 NIR 处具有更高的灵敏度,最高可达 1350 nm 用于多光束分析的多个活动区域 多功能 - 测量轮廓、功率和位置

  • 该扫描波长激光器采用专用VCSEL激光芯片,可实现激光波长的高速扫描,单模光纤耦合输出。专业设计的驱动与温控电路控制保证激光器稳定工作,可提供台式或模块式封装。

  • 垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。

  • 760nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护.TO39封装

  • PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全数字设计的控制板,专业用于TDLAS技术可调谐半导体激光器的控制,集成了兼容InGaAs和InAs探测器的前置放大器,以及一个专业提取二次谐波信号的FPGA-based全数字检波器,FPGA-based激光驱动器和波形发生器;激光功率和二次谐波信号输出;利用压力和温度传感器调节回路,使输出同步到外部数据采集系统。PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全数字设计的控制板,专业用于TDLAS技术可调谐半导体激光器的控制。

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  • 在常用的三种激光中,FP激光比DFB激光容易产生,但FP激光的光线较宽(>1nm),波长的温度漂移也较大(0.5nm/℃), 因此不适用于高速和/或远程应用。

  • 筱晓光子的PL-VCSEL-1550-1-A81 1550nm VCSEL激光器是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模半导体激光器。芯片为TO56封装。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。它是专为高速光纤通信而设计的。产品特点TO-56 7针小型封装集成TEC(温度稳定)CW光输出功率:典型值1.6mW(温度为20°C时)单模VCSEL宽调谐范围:>8nm高调制带宽(10 Gbps)快速波长调谐(~100 kHz)技术参数参数单位数值最小典型最大光输出峰值功率@25ºCmW11.6操作电流mA01825阈值电流mA812工作温度℃-402585斜率效率(CW,Tc=25°C)mW/mA0.140.18激光驱动电压V01.52.5中心波长(请指定中心波长)nm15251575保证调谐范围nm810最大调谐响应kHz100200边模抑制比dB3040TEC电压V0.351.5TEC电流A0.050.6实验测试不加外部调制(1)  1550nmTOSA激光器连接LC-APC连接线,再把激光器插入驱动底座,连接驱动器。连接线的另一端连接光谱仪或功率计。(2) USB线连接电脑,打开驱动软件.在软件上设置,最大电流20mA,设置成inter内部调制,SET一下,设置成功(3) 设置电流,打开激光器。测试结果光谱图功率曲线图用信号发生.....

  • 垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。它具有较小的远场发散角,发散角光束窄且圆;并且阈值电流低,调制频率高,能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装,它专为高速光纤通信而设计。VCSEL激光器优势7 Pin小尺寸非球面透镜帽集成TEC控制温度稳定输出功率1.6mW单模,可以通过C-L波段具有宽谱调谐范围:>8nm快速波长调谐(~100KHz)VCSEL激光器结构VCSEL激光的产生主要由三部分组成,即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。利用泵浦源对工作物质进行激励,形成粒子数反转,发出激光。在通过底部和顶部反射镜组成的谐振腔,在激光腔内放大振荡,并从顶部反射镜输出,输出的光线只集中在中间不带有氧化层的部分输出,形成了垂直腔面的激光发射,从而得到稳定,持续,有一定功率的高质量激光。技术参数条件:P=20°C,IO P=2.0mA,除非另有说明(P=芯片背面温度.....

  • 筱晓光子的PL-VCSEL-1550-1-A81 1550nm VCSEL激光器是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模半导体激光器。芯片为TO56封装。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。它是专为高速光纤通信而设计的。

  • UCLA电子工程系副教授本杰明·威廉姆斯带领的团队(包括诺斯罗普·格鲁曼公司航空航天系统的工程师),借助于UCLA的纳米电子研究设施,成功研发了第一个太赫兹垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。目前可见光波长范围内的VECSEL已经广泛用于发射高能光束,但在太赫兹频率范围内则之前未有应用。

  • 太赫兹频率范围内的光波(处于微波和红外线的电磁频谱之间),可用于分析塑料、织物、半导体和艺术品,且不会损坏被检测的材料;化学检测和鉴定;研究行星的组成和大气组分。研究人员说,该新装置可作为一类新型高品质的激光器,用于空间探索,军事和安检等方面。

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