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首页 / 激光测试 / 激光探测器 / InGaAs 超大光敏面铟镓砷光电二极管(10mm )－近红外波长

InGaAs 超大光敏面铟镓砷光电二极管(10mm )－近红外波长
  2020-08-05

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

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超大光敏面铟镓砷光电二极管（10mm） 下载PDF ￥7950.00
产品特点

● 10mm超大光敏面

● 900nm to 1700nm 光谱响应

● 高线性 > 10 dBm

● —正照平面型芯片结构 

● 光敏面积大、低暗电流

技术参数

特性参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

光谱响应范围

λ

—

900～1700

nm

光敏面直径

φ

—

10

mm

响应度

 

Re

VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

0.85

—

—

A/W

VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

0.95

—

—

响应时间

tS

VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

—

8

20

μs

总电容

C

VR=5V,f=1KHz

—

3

10

nF

暗电流

ID

VR=5V,φe=0

—

25

100

nA

分流阻抗

Rsh

VR=10mV

10

—

—

MΩ


光谱响应曲线

tu1.png

封装及尺寸

tu2.png

极限值

参数名称

符号

额定值

单位

工作温度

TC

-40～+85

℃

贮存温度

TSTG

-55～+125

℃

正向电流

IF

10

mA

反向电流

IR

5

mA

焊接温度（时间）

St

260℃（10s）

-

产品应用

● 激光功率计

● LED/LD老化诊断

● 光谱学

● LED/LD特性

● 眼睛安全激光检测传感器

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