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VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs 795 nm/894.6 nm 0.13mW  

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。



产品型号
纵向   横向
型号 货号 操作 名称
VCSEL-894.6-0.3  A80040028    894.6 nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs   [PDF] 正向电流 VF 典型值 1.78 V 输出功率 Φ 典型值 0.3 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm     价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
 
VCSEL-795-0.13  A80040029    795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs   [PDF] 正向电流 VF 典型值 1.8 V 输出功率 Φ 典型值 0.13 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm     价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
 
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