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首页 / 太赫兹系统 / 太赫兹晶体 / GaSe(硒化镓)太赫兹晶体

GaSe(硒化镓)太赫兹晶体
  2020-05-27

GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。

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产品特点

● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域

● 抗损伤阈值高

● 非线性系数大

● CO2激光的SHG

● 多种尺寸可选

● 客户导向的解决方案

● 接受客户定制服务


技术参数

GaSe晶体的透过率曲线

thz1.jpg

实验室光路系统

thz2.png


EOS测量及反演结果

thz3.png

产品应用

● 太赫兹时域系统

● 太赫兹源晶体

● 中远红外气体探测

●  CO2激光的SHG

● THZ实验光源

● 太赫兹成像