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铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm  

铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm
InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。


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产品型号 1
货号 操作 名称
E80042038  InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型)   [PDF] 光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度 @1550nm: 0.85 A/W; 3针TO46 封装;SMF-28E 光纤耦合;FC/APC; 不带 TCE    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
总览

InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

产品特点

● 光谱响应范围0.9~1.7μm 

● 高探测效率、低暗计数率 

● 3 pin TO46

产品应用

● 弱光探测

● 量子保密通信 

● 生物医疗

技术参数

线性模式参数

产品型号

IGA-APD-GM104-R

参数

符号

单位

测试条件

最小

典型

最大

反向击穿电压

VBR

V

22±3 ID =10μA

60

80

90

响应度

Re

A/W

22±3 ,λ =1550nm M =1

0.8

0.85


暗电流

ID

nA

22±3 M =10


0.1

0.3

电容

C

pF

22±3 M =10 f=1MHz



0.25

击穿电压温度 系数

η

V/K

-40 ~80℃,ID =10μA



0.15


盖革模式参数


参数

单位

测试条件

最小

典型

最大

单光子探测效 PDE

%

-45 λ =1550nm 0.1ph/pulse

泊松分布单光子源

20



暗计数率DCR

kHz

-45 1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



 

20*

后脉冲概率 APP


-45 1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



 

1× 10-3

时间抖动Tj

ps

-45 1ns 2MHz门控重频,PDE=20%



100

* 可提供不同等级规格产品



TO46 (尾纤封装)

APD1.png












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