close[X]
您的购物车
型号 数量 单价 小计 货期
总价:
查看购物车 结算

综合技术咨询 Deyan Pan 17612171289 同微信,可扫码

 021-64149583-816
deyan.pan@microphotons.com

华东西北华南 Daisy Lee 18602170419 同微信,可扫码

 021-64149583-805
daisy@microphotons.com

华北西南东北华中 Hongyu Chen 13124873453 同微信,可扫码

 021-64149583-803
hongyu.chen@microphotons.com




硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18  2021-09-07  

C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。

器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装,密封在平玻璃窗后面。


产品型号
纵向   横向
型号 货号 操作 名称
C30902EH E80040084 硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18   [PDF] 感光面积:0.2mm² 感光直径:0.5mm 击穿电压:225V 结电容:1.6pF 暗电流:15nA 增益:150 噪声电流:0.23pA/√Hz 封装:TO-18,平面窗口 峰值灵敏度波长:830 nm 响应时间: 响应度: 在830 nm为77 A/W 在900 nm处为65 A/W 上升/下降时间:0.5ns 温度系数:0.7V/°C 波长:400-1100nm 8-10周
复制内容纯文本









使用本网站,即表示您同意我们使用cookie.它可以帮助更好地提供会员服务以及短时间内记录您的浏览记录
已知晓 了解详情