close[X]
您的购物车
型号 数量 货期
查看购物车 结算

硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18  

C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降……

华东西北华南 Daisy Lee 18602170419 同微信,可扫码

daisy@microphotons.com

华北西南东北 Tina 13124873453 同微信,可扫码

hongyu.chen@microphotons.com

华中广东深圳 Nancy 15618042390 同微信,可扫码

yuka@microphotons.cn

综合技术咨询 Deyan Pan 17612171289 同微信,可扫码

deyan.pan@microphotons.com



纵向   横向
产品型号
型号 货号 操作 名称
C30902EH  E80040084  8-10周    硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18   [PDF] 感光面积:0.2mm² 感光直径:0.5mm 击穿电压:225V 结电容:1.6pF 暗电流:15nA 增益:150 噪声电流:0.23pA/√Hz 封装:TO-18,平面窗口 峰值灵敏度波长:830 nm 响应时间: 响应度: 在830 nm为77 A/W 在900 nm处为65 A/W 上升/下降时间:0.5ns 温度系数:0.7V/°C 波长:400-1100nm    价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服
总览

C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。

器件的响应度与zui高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装,密封在平玻璃窗后面。











使用本网站,即表示您同意我们使用cookie.它可以帮助更好地提供会员服务以及短时间内记录您的浏览记录
已知晓 了解详情
提示