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首页 / 光学有源器件 / 光电探测器 / 2-12μmMCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列

2-12μmMCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列
  2021-09-07

PVI-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器,具有最佳的性能和稳定性,同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

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2-12μm MCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列
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产品特点

● 可探测中红外波长范围2-12μm

● 可配专用前置放大器

● 1mm×1mm大尺寸光敏面

● 带有抗反射涂层窗口镜

● 带有超半球微型砷化镓透镜实现光学浸没,有效提升探测效率

技术参数

参数

探测器型号

PVI-2TE-3

PVI-2TE-3.4

PVI-2TE-4

PVI-2TE-5

PVI-2TE-6

PVI-2TE-8

PVI-2TE-10.6

有源元件材料

外延MCT异质结构

最佳波长λopt,μm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

探测灵敏度D*(λpeak),cm·Hz½/w

≥8×1011

≥6×1011

≥4×1011

≥2×1011

≥7×1010

≥4×109

≥2×109

探测灵敏度D*(λopt),cm·Hz½/W

≥5.5×1011

≥3×1011

≥3×1011

≥9×1010

≥4×1010

≥2×109

≥1×109

电流响应度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.3

≥1.3

≥1.5

≥0.8

≥0.4

时间常数T,ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤45

≤10

电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2

≥15000

≥300

≥200

≥10

≥2

≥0.02

≥0.01

有源元件温度Tdet,K

~230

感光面面积AO,mm×mm

0.5×0.5,1×1

0.05×0.05

封装

TO8,TO66

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR

探测器光谱响应特性曲线

PVI-2TE.png

热敏电阻特性曲线

PV-2TE1.jpeg

两级TE冷却参数表

参量

数值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂层窗口光谱透过率曲线

PV-2TE2.jpeg

封装及尺寸

TO8型封装外形尺寸图

23.jpg

参量

数值

浸没微型透镜形状

超半球形

光学区域面积AOmm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

4.1±0.3

3.2±0.3

备注:

ϕ—接收角度;

R—超半球微型透镜半径

A—2TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离


2TE-TO8引脚定义

功能

PIN号

探测器

1,3

反向偏压(可选)

1(-),3(+)

热敏电阻

7,9

TE冷却器供应

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


2TE-TO66封装尺寸图

参量

数值

浸没微型透镜形状

超半球形

光学区域面积AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

5.15±0.30

3.2±0.30

备注:

ϕ—接收角度;

R—超半球微型透镜半径

A—2TE-TO66型封装顶部下表面与焦平面的距离


TO66引脚定义

功能

PIN号

探测器

7,8

反向偏压(可选)

7(-),8(+)

热敏电阻

5,6

TE冷却器供应

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测