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850nm 10GHz 铌酸锂相位调制器  

850nm 10GHz 铌酸锂相位调制器
一款基于行波电极设计的、偏振敏感的、薄膜铌酸锂相位调制器组件,通常以带光纤尾纤和射频连接器的形式提供,专为在850nm波段下实现高达10GHz的高速相位调制而设计。


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产品型号 1
货号 操作 名称
850nm 10GHz 铌酸锂相位调制器   [PDF] 工作波长:780~890nm;插入损耗:≤3.5dB;最大输入光功率:10mW;光回波损耗:≤-55dB    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
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一款基于行波电极设计的、偏振敏感的、薄膜铌酸锂相位调制器组件,通常以带光纤尾纤和射频连接器的形式提供,专为在850nm波段下实现高达10GHz的高速相位调制而设计。










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