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10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um


响应范围:900-1650nm;响应度:0.95A/W;暗电流:0.08nA;带宽:10GHz;有效区直径:50um

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产品总览

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

 

产品特点

φ50um 有效面积

高响应度

正面正极/负极焊盘

 

 

产品应用

IEEE 40Gbps Ethernet

4x10G CWDM4

40G SFP+LR4

光纤数据通信



1758590701237596.png


规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


响应度

R

0.8

0.95


A/W

λ=1310-1550nm

暗电流

ID


0.08

0.3

nA

VR=-5V

电容

C


0.12

0.2

pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


10


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


50


um


通道之间的中心间距(pitch)



250


um


其它型号
  名称 型号货号         价格
25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (250um Pitch) 货号无
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25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (750um Pitch) 货号无
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28Gbaud InGaAs PIN PD 1x4 Array Chip φ18um 货号无
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