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InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片
产品特点
数据速率高达 2.5Gbps
φ50um 有效面积
高响应度
顶照式平面结构
应用领域
GPON ONU
GPON OLT
长途光网络
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 40 | 50 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.12 | V/℃ | ||||
响应 | R | 10 | 12 | A/W | VR=Vbr-3V | |
暗电流 | ID | 0.4 | 10 | nA | VR=Vbr-3V | |
电容 | C | 0.24 | 0.5 | pF | VR=38V;f=1MHz | |
带宽 | Bw | 2.5 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 50 | um | |||
芯片尺寸 | 250*250*150 | um | L*W*H |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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