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High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um


响应范围:900-1650nm;击穿电压:65-80V;响应:40A/W;暗电流:5nA;电容:0.56pF;带宽:2.5GHz

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产品总览

InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

 

产品特点

高增益,高达 50

φ30um 有效面积

低暗电流

顶照式平面结构

 

应用领域

激光雷达 (LiDAR)

激光测距

光纤传感器

 

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


击穿电压

Vbr

65


80

V

ld=10uA

VBR温度系数



0.12


V/℃


响应

R

40



A/W

VR=Vbr-0.5V

暗电流

ID



5

nA

VR=Vbr-0.5V

电容

C


0.56

0.8

pF

VR=38V;f=1MHz

带宽

Bw

2.5



GHz

3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


30


um


芯片尺寸



220*220*120


um

L*W*H






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