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1.25-2.5 Gbps InGaAs PIN PD Chip φ70um


响应范围:900-1650nm;响应度:0.8-0.95A/W;暗电流:0.05-0.3nA;电容:0.30-0.5pF;带宽:3.0GHz;有效区直径:70um;芯片尺寸:220*220*120um

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产品总览

InGaAs PIN高速光探测器芯片

 

产品特点

数据速率高达2.5Gbps

φ70um有效面积

高响应度

顶照式平面结构

 

产品应用

EPON ONU

2.5Gbps 接收器

光纤数据通信

 

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


响应度

R

0.8

0.95


A/W

λ=1310-1550nm

暗电流

ID


0.05

0.3

nA

VR=-5V

电容

C


0.30

0.5

pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


3.0


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


70


um


芯片尺寸



220*220*120


um

L*W*H


其它型号
  名称 型号货号         价格
1.25-2.5 Gbps InGaAs PIN PD Chip φ55um 货号无
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2.5G-PON InGaAs PIN PD Chip φ45um 货号无
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