探测器类型

光伏型、多结

光敏材料

外延 InAsSb 异质结构

制冷方式

单级热电制冷器，1TE

典型芯片温度

约 253 K

温度传感器

热敏电阻

光敏面积

1 mm × 1 mm

入射方式

背面入射

光学浸没

无

封装

1TE-TO39

引脚数量

8

典型接收角

约 70°

窗口材料

平面硅窗口

窗口镀膜

增透膜，pSiAR

起始响应波长，10%

λ_cut-on

—

2.0

—

μm

峰值响应波长

λ_peak

—

4.0

—

μm

截止响应波长，10%

λ_cut-off

—

5.5

—

μm

峰值探测率，20 kHz

D*

3.0 × 10⁹

1.0 × 10¹⁰

—

cm·Hz¹ᐟ²/W

峰值电流响应率

Ri

0.08

0.18

—

A/W

时间常数

τ

—

20

80

ns

动态电阻

Rd

1

4

—

kΩ

起始响应波长，10%

λ_cut-on

—

2.0

—

μm

峰值响应波长

λ_peak

—

4.0

—

μm

截止响应波长，10%

λ_cut-off

—

5.9

—

μm

峰值探测率，20 kHz

D*

1.0 × 10⁹

3.0 × 10⁹

—

cm·Hz¹ᐟ²/W

峰值电流响应率

Ri

0.06

0.16

—

A/W

时间常数

τ

—

30

160

ns

动态电阻

Rd

0.15

0.45

—

kΩ

环境工作温度

环境温度高于30°C时，芯片温度可能升高并导致性能下降

-20～70

°C

储存温度

—

-20～85

°C

焊接温度

持续时间不超过5秒

≤370

°C

储存湿度

不得结露

10～90

%

Max. 入射光功率密度

连续光或脉宽大于1 μs的单脉冲

100

W/cm²

Max. 入射光功率密度

脉宽小于1 μs的单脉冲

1

MW/cm²

Max. 偏置电压

Vb max

-2.0

V

Max. TEC电压

单级TEC

0.4

V

Max. TEC电流

单级TEC

1.67

A

环境温度

约20°C，或接近293 K

探测器偏压

0 V，零偏压工作

芯片工作温度

约253 K

TEC驱动方式

恒流或闭环温控

温度反馈

使用内置热敏电阻

信号读取

低噪声跨阻放大器

推荐调制频率

根据光源、前置放大器及信噪要求确定；额定探测率测试频率为20 kHz

光学保护

避免入射光功率超过额定值

使用环境

避免结露、污染及强机械冲击