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器件类型：InGaAsP APD型；像元规格：128x128；像元大小：50umx50um；光敏面大小：6.4mmx6.4mm；填充因子：≥60%；工作温度范围：-40℃～+60℃；储存范围：-55℃～+70℃；
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128×128 InGaAs盖革雪崩焦平面探测组件采用激光脉冲飞行时间测量（TOF）方式获取目标的三维距离信息，可应用于激光制导、障碍规避、三维地形测绘等领域。InGaAs盖革雪崩焦平面探测灵敏度可以达到单光子量级，可在一定概率下探测到单光子信号；探测器在像元内完成了激光脉冲飞行时间的数字量化，从而避免了复杂模拟链路传输所引入的信号衰减，信号处理过程简单，噪声影响极小；利用激光脉冲即可实时构成目标的完整三维图像，具有所需激光功率低、无需扫描结构、图像不失真等特点；系统结构简单、体积小、重量轻、功耗低。
产品特点
单光子探测；
高探测效率；
低暗计数率；
亚纳秒级时间分辨率；
三维成像能力
产品应用
激光三维成像
精确制导
地形测绘
障碍规避
量子关联成像
尺寸图
详细参数
典型应用示例图：
成像特征演示
技术参数
Max. jue对额定值
工作温度范围 | -40℃～+60℃ |
储存范围 | -55℃～+70℃ |
Max. 工作功耗 | 350mW |
Max. 制冷功耗 | 18W（TEC） |
ESD抗静电等级 | 1000V~2000V |
面阵规格
器件类型 | InGaAsP APD型 |
像元规格 | 128x128 |
像元大小 | 50umx50um |
光敏面大小 | 6.4mmx6.4mm |
填充因子 | ≥60% |
光电性能参数@22±3℃
平均光子探测效率 | ≥20% |
平均光子探测效率标准差 | ≤8% |
平均暗计数率 | ≤10kHz |
平均暗计数率标准差 | ≤8kHz |
时间分辨率 | 2.5ns |
时间抖动 | ≤2ns |
门控时间范围 | 25Tbin~4090Tbin |
累积串扰概率 | ≤20% |
有效像元率 | ≥98% |
工作帧率 | ≤10kHz |
功耗 | ≤24W |
封装外形结构和尺寸
代号 | A | B | C | D | E | F | G | H | J | K | L | M | N | P | Q |
尺寸（mm） | 65 | 44 | 44 | Φ31.4 | M25.4 | 98.3 | 88.3 | 78.7 | 6.0 | 14.1 | 32.5 | 9.6 | 25.0 | 40 | 58.2 |
公差（mm） | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 1 | 1 | 1 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
F为后端接头到法兰盘尺寸
G为后端接头到前盖尺寸（不包括法兰盘）
H为机芯尺寸（不包括法兰盘和数据接头）
营业执照