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有源区边长：12.0mm；感光范围：900-1700nm；峰值波长：1550nm；储存温度 ：-25~70℃；工作温度：-25~70℃；反向电压 ：0.1V；反向电流：50mA；正向电流：10mA；
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本产品是一款表面入射型大光敏面积的PIN光电探测器。探测器基于InP衬底，为quan面器件结构，集成BNC接口。该产品具有12mm的入光窗口，探测波长范围为900-1700nm，具有高响应度、低暗电流等特性。主探测器表面采用透明塑封工艺，底部假装BNC接口，要应用于功率检测和仪器仪表等领域。
产品特点
大光敏面；
宽光谱响应；
低暗电流；
高饱和光功率
产品应用
光功率检测
近红外光谱分析
光纤通信系统
尺寸图
详细参数
产品参数
参数 | 测试条件 | 单位 | 下限 | 典型 | 上限 |
有源区边长 | mm | 12.0 | |||
感光范围 | nm | 900 | 1700 | ||
峰值波长 | nm | 1550 | |||
响应度 | Vr=0.01V,λ=1550nm | A/W | 1.0 | ||
Vr=0.1V | uA | 0.05 | 0.3 | ||
电容 | f=1MHz, Vr=0V | nF | 40 | ||
串联电阻 | If=7mA and 10mA | Ω | 50 | ||
响应度不均匀性 | 80% of active area | % | 2 |
*Vr：反向电压， If：正向电流，F：频率
Max. 允许范围
参数 | 单位 | 参数值 |
储存温度 | ℃ | -25~70 |
工作温度 | ℃ | -25~70 |
反向电压 | V | 0.1 |
反向电流 | mA | 50 |
正向电流 | mA | 10 |
芯片尺寸
芯片尺寸 | a | 12.7mm |
光敏面直径 | b | 12mm |
衬底厚度 | c | 300±40um |
背金属厚度 | d | 2um |
封装
加装BNC的封装结构
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照