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光学级铌酸锂晶体基底


常规厚度:350μm、500μm、1000μm,支持定制;表面质量:S/D 20/10(双面抛光参考规格)

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产品总览

光学级铌酸锂晶体基底是一种具有优异电光、声光、压电及非线性光学性能的高品质功能晶体材料,广泛应用于光通信、集成光子学、声表面波器件及光电子技术等领域。产品提供同成分铌酸锂(CLN)和化学计量比铌酸锂(SLN)两种材料类型,具有良好的晶体质量、光学均匀性和表面加工性能。支持3英寸、4英寸、6英寸、8英寸圆形晶圆,以及方形、三角形和异形尺寸定制,可提供单面抛光、双面抛光及单面抛光另一面研磨等加工方式,满足光学实验、LNOI薄膜制备、电光调制及精密光电子器件的多样化需求。

 

产品特点

优异的光电性能

高品质晶体基底

多规格灵活定制

精密表面加工

 

应用领域

光通信与电光调制

LNOI薄膜与集成光子学

声光与射频声学器件

非线性光学与科研实验

 

详细参数

参数

指标

材料类型

同成分铌酸锂(CLN)、化学计量比铌酸锂(SLN)

晶体结构

三方晶系

晶体取向

X-cut、Y-cut、Z-cut、Y36°-cut,支持定制

晶圆直径

3英寸(76.2mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)

产品形状

圆形、方形、三角形、异形定制

晶片厚度

350μm、500μm、1000μm,支持定制

厚度公差

根据尺寸及加工要求定制

主定位边(OF)

22±2mm、32±2mm、47±2mm(依规格选择)

副定位边(RF)

14±3mm(适用规格)

表面加工

单面抛光(SSP)、双面抛光(DSP)、单面抛光另一面研磨

表面质量

S/D 20/10(参考规格)

表面粗糙度(Ra)

≤0.3nm(参考规格)

总厚度变化(TTV)

≤10μm(参考规格)

翘曲度(WARP)

≤3μm(3英寸参考规格)

普通光折射率(No)

2.2878±0.0001(λ=632.8nm)

非普通光折射率(Ne)

2.2028±0.0001(λ=632.8nm)

居里温度

约1142℃(CLN)

边缘处理

倒角处理,支持定制

晶体内部质量

无明显条纹、夹杂等缺陷

主要应用

光通信、电光调制、LNOI薄膜基底、声光器件、SAW器件、非线性光学、射频声学器件、光学实验



其它型号
  名称 型号货号         价格
氧化镁掺杂铌酸锂晶体 货号无
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化学计量比铌酸锂晶体 货号无
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