工作波长

1310 / 1550 nm

光芯片插损

≤0.2 dB/cm

模场直径（1310 nm）

8.6±0.4 μm

模场直径（1550 nm）

9.9±0.6 μm

光芯片回损

≥40 dB

光芯片串扰

≤-35 dB @ pitch = 25 μm

器件长度（L1）

9.5±0.5 mm

器件宽度（W1）

2.5±0.1 mm

器件高度（H1）

1.5±0.1 mm

芯片高度（H2）

1.0±0.05 mm

光芯片方尺寸

≤50 × 50 mm

光芯片厚度

0.1～2.0 mm

S1端波导深度（H3）

40.0±5.0 μm

S1端芯间距（P1）

42.0±1.0 μm

S1端芯间距（P2）

42.0±1.0 μm

S2端波导深度（H4）

100.0±5.0 μm

S2端芯间距（P3）

127.0±1.0 μm

S2端芯间距（P4）

254.0±1.2 μm

光波导芯间距

≥7 μm

可选模式

单模 / 少模

功能集成

光分路、光合分波、模斑转换

环境性能

-55～150°C