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1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ70um


响应范围:900-1650nm;响应度:0.8-0.95A/W;暗电流:0.1-0.5nA;电容:0.33-0.4pF;带宽:3.0GHz;有效区直径:70um

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产品总览

InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片

 

产品特点

高线性度

φ70um有效面积

高响应度

顶照式平面结构

 

产品应用

有线电视传输

移动通信系统

EPON

 

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


响应度

R

0.8

0.95


A/W

λ=1310-1550nm

暗电流

ID


0.1

0.5

nA

VR=-15V

电容

C


0.33

0.4

pF

VR=-5V,f=1MHz

二阶失真

CSO


-70

-65

dBc

VR=-12V

三阶失真

CTB


-80


dBc

VR=-12V

带宽

Bw


3.0


GHz

3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


70


um



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