InGaAs Tap-PD Chip For EDFA φ80um.pdf
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响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.95A/W；暗电流：0.05-0.2nA；二阶失真：-60dBc；三阶失真：-70dBc；带宽：1.0GHz；有效区直径：80um
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用于EDFA的InGaAs Tap-PD芯片
产品特点
高线性度
φ80um有效面积
高响应度
顶照式平面结构
产品应用
EDFA 用 Tap-PD
移动通信系统
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.95 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.05 | 0.2 | nA | VR=-5V, Tc=25℃ | |
1.2 | 2.0 | pF | VR=-5V, Tc=75℃ | |||
二阶失真 | CSO | -60 | dBc | VR=-12V | ||
三阶失真 | CTB | -70 | dBc | VR=-12V | ||
带宽 | Bw | 1.0 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 80 | um |
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照