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50Gbps56Gbaud APD Chip


响应范围:1000-1650nm;击穿电压:18-30V;响应:4.5A/W;暗电流:300nA;电容:0.04pF;带宽:30GHz

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产品总览

InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

 

产品特点

带宽高达 30GHz

底照式平面结构

VBR 温度系数

高响应度

 

应用领域

50G-PON

100G以太网

长距离光纤网络


1759024965811055.png


规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

1000


1650

nm


击穿电压

Vbr

18


30

V

ld=10uA

VBR温度系数



0.015


V/℃


响应

R


4.5


A/W

VR=Vbr-2V

暗电流

ID



300

nA

VR=Vbr-2V

电容

C


0.04

0.08

pF

VR=Vbr-1V;f=1MHz

带宽

Bw


30


GHz

3dB down,RL=50Ω


其它型号
  名称 型号货号         价格
25Gbps InGaAs APD Chip φ16um 货号无
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