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微信号:13061644116
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InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片
产品特点
带宽高达 30GHz
底照式平面结构
低 VBR 温度系数
高响应度
应用领域
50G-PON
100G以太网
长距离光纤网络
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 1000 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 18 | 30 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.015 | V/℃ | ||||
响应 | R | 4.5 | A/W | VR=Vbr-2V | ||
暗电流 | ID | 300 | nA | VR=Vbr-2V | ||
电容 | C | 0.04 | 0.08 | pF | VR=Vbr-1V;f=1MHz | |
带宽 | Bw | 30 | GHz | 3dB down,RL=50Ω |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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