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25Gbps InGaAs APD Chip φ16um


响应范围:900-1650nm;击穿电压:20-30V;响应:8A/W;暗电流:200nA;电容:0.08pF;带宽:18GHz;有效区直径:16um

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产品总览

InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

 

产品特点

数据速率高达 25Gbps

φ16um 有效面积

VBR 温度系数

高响应度;顶照式平面结构

 

应用领域

100GBASE ER4

25G-PON

长距离光纤网络



规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


击穿电压

Vbr

20


30

V

ld=10uA

VBR温度系数



0.025


V/℃


响应

R


8


A/W

VR=Vbr-2V

暗电流

ID



200

nA

VR=Vbr-2V

电容

C


0.08

0.10

pF

VR=Vbr-1V;f=1MHz

带宽

Bw


18


GHz

3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


16


um


芯片尺寸



320*230*150


um

L*W*H


其它型号
  名称 型号货号         价格
50Gbps56Gbaud APD Chip 货号无
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