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850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片
产品特点
数据速率高达 100Gbps/channel
响应范围:850nm-910nm
850nm 高响应度
GSG 电极结构
应用领域
100/400/800Gbps WDM PAM4
200Gbps QSFP56 SR4/FR4
4×56Gbps 光纤通道
详细参数

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 850 | 910 | nm | ||
响应度 | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
暗电流 | ID | 0.01 | 0.05 |
| VR=-5V | |
电容 | C | 0.05 | 0.08 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 32 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 32 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 250 | um |
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|

