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850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PD Chip φ32um


响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.01nA;电容:0.05pF;带宽:32GHz;有效区直径:32um

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产品总览

850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片

 

产品特点

数据速率高达 100Gbps/channel

响应范围:850nm-910nm

850nm 高响应度

GSG 电极结构

 

应用领域

100/400/800Gbps WDM PAM4

200Gbps QSFP56 SR4/FR4

4×56Gbps 光纤通道

 

详细参数

1761531124539510.png


规格(Tc=25,单颗裸芯片

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ


850

910

nm


响应度

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

暗电流

ID


0.01

0.05

nA

VR=-5V

电容

C


0.05

0.08

pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


32


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


32


um


通道之间的中心间距(pitch)



250


um



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  名称 型号货号         价格
850nm 10Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ60um 货号无
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