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这四款均为覆盖900nm至2500nm以上短波红外（SWIR）光谱范围的线阵铟镓砷（InGaAs）传感器。它们专为光谱分析等应用设计，在像素规模、光谱响应范围、冷却方式等关键特性上形成差异化，以满足从常规近红外到扩展短波红外的不同探测需求。
产品特点
宽光谱响应
高量子效率
高动态范围
抗溢出与温度控制
应用领域
光谱分析
扩展短波红外光谱分析
工业视觉
激光光束分析
详细参数
参数 | G9204-512DA Hamamatsu | G9202-512SB Hamamatsu | G9212-512SB Hamamatsu | G11478-256WB Hamamatsu |
像素数量 | 512 | 512 | 512 | 512 |
坏点数量1 | 无 | 无 | ≤5 | ≤13 |
像素尺寸(um2) | 25x500 | 25x250 | 25x250 | 50x250 |
有效面积(mm) | 12.8 | 12.8 | 12.8 | 12.8 |
光谱范围(nm) | 0.9-1.67 | 0.9-1.67 | 0.9-1.67 | 0.9-2.55 |
光响应不均因性(%)2 | ±5 | ±5 | ±5 | ±10 |
防溢出(Anti-blooming) | 支持 | 支持 | 支持 | 支持 |
ADC分辨率 | 16位 | 16位 | 16位 | 16位 |
读出噪声(ADC计数，rms) | ＜4 | ＜4 | ＜4 | ＜6 |
Max. 数据率(kHz) | 125 | 125 | 125 | 125 |
Min. 帧率读出时间(ms) | 4.1 | 4.1 | 4.1 | 2.05 |
曝光时间步长(us) | 16 | 16 | 16 | 16 |
Min. 曝光时间≥(s) | 12 | 12 | 12 | 8 |
Max. 曝光时间≥(s/us)4,5 | 100s | 100s | 100s | 3.5ms |
冷却温度(℃) | 无冷却 | -10 | -10 | -20 |
工作温度(℃) | 10-30 | 10-30 | 10-30 | 10-30 |
计算机接口 | 高速USB | 高速USB | 高速USB | 高速USB |
同步接口 | IN/OUT | IN/OUT | IN/OUT | IN/OUT |
尺寸(mm3) | 66x86x32 | 70x80x122 | 70x80x122 | 70x80x143 |
1. 暗电流、灵敏度非线性及读出噪声超出Max. 值的像素总数（Shou末像素不计入统计）。
2. 信号水平为饱和值的50%，曝光时间为10毫秒（ms）。
3. 防溢出（Anti-blooming）：防止饱和光电元件中多余光电荷向相邻元件溢出的能力。
4. Max. 曝光时间：暗信号达到动态范围25%时所需的时间。
5.所有图像传感器均提供两种工作模式：高动态模式或高灵敏度模式。上表中参数均为高 动态模式下的指标
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照