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这四款均为覆盖900nm至2500nm以上短波红外（SWIR）光谱范围的线阵铟镓砷（InGaAs）传感器。它们专为光谱分析等应用设计，在像素规模、光谱响应范围、冷却方式等关键特性上形成差异化，以满足从常规近红外到扩展短波红外的不同探测需求。
产品特点
宽光谱响应
高量子效率
高动态范围
抗溢出与温度控制
应用领域
光谱分析
扩展短波红外光谱分析
工业视觉
激光光束分析
详细参数
适用于190-1100nm光谱范围的线阵列传感器
参数 | S13496 Hamamatsu | S11639-01 Hamamatsu | TCD1304 Toshiba | TCD1205 Toshiba |
像素数量 | 4096 | 2048 | 3648 | 2048 |
像素尺寸(um2) | 7x200 | 14x200 | 8x200 | 14x200 |
有效面积(mm) | 28.672 | 28.672 | 29.184 | 28.672 |
光谱范围(nm) | 200-1100 | 200-1100 | 200-1100 | 200-1100 |
光敏度(V/lx·s) | 650 | 1300 | 160 | 80 |
光响应不均因性(%) | ±2 | ±2 | ±5 | ±5 |
峰值灵敏度波长(nm) | 700 | 700 | 540 | 580 |
防溢出(Anti-blooming) | 支持 | 支持 | 支持 | 支持 |
ADC分辨率 | 16位 | 16位 | 16位 | 16位 |
读出噪声(ADC计数，rms) | ＜4 | ＜4 | ＜8 | ＜14 |
Max. 数据率(kHz) | 3000 | 3000 | 500 | 500 |
动态范围 | 5000：1 | 5000：1 | 2000：1 | 1100：1 |
Min. 帧率读出时间(ms) | 1.366 | 0.683 | 7.4 | 4.2 |
Min. 曝光时间(s) | 0.018 | 0.018 | 7.4 | 4.2 |
Max. 曝光时间≥(s) | 5 | 5 | 3 | 4 |
冷却温度(℃) | 无冷却 | 无冷却 | 无冷却 | 无冷却 |
工作温度(℃) | 10-30 | 10-30 | 10-30 | 10-30 |
计算机接口 | 高速USB | 高速USB | 高速USB | 高速USB |
同步接口 | IN/OUT | IN/OUT | IN/OUT | IN/OUT |
尺寸(mm3) | 66x86x32 | 66x86x32 | 66x86x32 | 66x86x32 |
1. 信号水平为50%饱和状态
2. 抗溢出（Anti-blooming）：防止饱和光电元件中多余光电荷向相邻元件溢出的能力。
3.Max. 曝光时间：暗信号达到动态范围25%时所需的时间
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照